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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
3595
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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