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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
2782
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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