RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
2782
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link