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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
3650
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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