RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Comparar
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
75
Por volta de -134% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
32
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
15.3
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
3593
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link