RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
73
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2635
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link