RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2635
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link