Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

62 77

Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 15.5

Среднее значение в тестах

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.2 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 77
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 15.5
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 1809

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM