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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
75
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
26
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
2955
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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