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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
75
左右 -188% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
26
读取速度,GB/s
1,943.5
16.2
写入速度,GB/s
1,672.1
12.6
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2955
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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