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Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO 5641162 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs INTENSO 5641162 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
INTENSO 5641162 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razões a considerar
INTENSO 5641162 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
75
Por volta de -226% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
23
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
2799
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
INTENSO 5641162 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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