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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razões a considerar
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
75
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
4200
Por volta de 6.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
35
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
4200
25600
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
2855
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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