RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23.1
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
19.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
4276
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link