RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
23.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
4276
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link