RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Qimonda 64T128020HU3SB 1GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link