RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Qimonda 64T128020HU3SB 1GB
Сравнить
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB против Qimonda 64T128020HU3SB 1GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Средняя оценка
Qimonda 64T128020HU3SB 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,636.8
1,795.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Qimonda 64T128020HU3SB 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
68
Около -17% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Qimonda 64T128020HU3SB 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
68
58
Скорость чтения, Гб/сек
4,540.8
3,690.8
Скорость записи, Гб/сек
2,636.8
1,795.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
5300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
827
552
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Qimonda 64T128020HU3SB 1GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link