RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3823
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link