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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
50
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
16.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3823
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
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