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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparar
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
75
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
4200
Por volta de 6.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
51
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
4200
25600
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
2687
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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