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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2354
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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