RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Comparar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
5.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1432
3491
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link