RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Comparar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.3
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.1
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1432
2327
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link