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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Pontuação geral
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1432
3238
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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