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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Pontuação geral
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razões a considerar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 11.3
    Valor médio nos testes
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 59
    Por volta de -84% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.6 left arrow 1,855.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 5300
    Por volta de 3.62 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,168.0 left arrow 11.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,855.7 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    680 left arrow 2292

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparações de RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparações de RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Memória RAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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Memória RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Memória RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Memória RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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