RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
62
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
31
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3033
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link