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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razões a considerar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    37 left arrow 59
    Por volta de -59% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.5 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.7 left arrow 1,855.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,168.0 left arrow 9.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,855.7 left arrow 7.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    680 left arrow 1949

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparações de RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
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Memória RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Memória RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Memória RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Memória RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Memória RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Memória RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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Memória RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Super Talent F21UB8GS 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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