RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
1949
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link