RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
75
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
75
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
1981
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link