RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
70
Por volta de 53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
70
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
1971
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link