RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
70
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
70
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1971
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link