Porównanie pamięci RAM Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Wynik ogólny

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 28

Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.5 13.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.0 10.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 17000

Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2445 2354

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns