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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
2354
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