Comparaison de la RAM Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Note globale

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 28

Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.5 13.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.0 10.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 17000

Autour de 1.13% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Liste complète des spécifications techniques

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2445 2354

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns