RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de -32% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
25
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2635
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link