RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3091
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link