RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3091
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link