RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
69
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
69
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
1831
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G6K1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link