RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
69
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1831
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link