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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2994
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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