RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
33
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2994
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link