RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
38
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2841
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link