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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
33
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
22
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
17.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3929
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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