RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
22
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3929
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link