RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2496
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link