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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.8
15.5
写入速度,GB/s
12.5
9.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2496
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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