RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
36
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2564
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link