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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
17.8
14.8
写入速度,GB/s
12.5
11.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2564
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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