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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
29
读取速度,GB/s
8.9
15.6
写入速度,GB/s
5.9
12.9
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3093
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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