RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3093
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link