Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

総合得点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 48

周辺 -66% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.6 8.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.9 5.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

23400 10600

周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

48 29
読み出し速度、GB/s

8.9 15.6
書き込み速度、GB/秒

5.9 12.9
メモリ帯域幅、mbps

10600 23400

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1420 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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